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四大安卓 SoC 廠商明年旗艦芯和中端芯均爲 1+3+4 架構設計

四大安卓 SoC 廠商明年旗艦芯和中端芯均爲 1+3+4 架構設計

(原標題:消息稱四大安卓 SoC 廠商明年旗艦芯和中端芯均爲 1+3+4 架構設計)

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IT之家11月8日消息 數碼博主 @數碼閒聊站 今日爆料稱,明年的高通驍龍、海思麒麟、三星獵戶座、聯發科天璣四大廠商的的主力旗艦芯片和中端芯片全員將採用1+3+4架構設計。

高通方面,此前已有大量爆料顯示該芯片將採用 “1+3+4”八核心設計,具體爲1個2.84GHz 超大核心 Cortex X1、 3個2.42GHz 的 A78內核,以及4個1.8GHz 的 A55內核。而通過此前泄露的跑分測試來看,驍龍875的測試成績仍將保持安卓 SoC 第一梯隊性能。驍龍885方面尚未有爆料信息,該博主所指較大可能爲驍龍875,該芯片有望於12月1日或2日正式發佈,屆時IT之家將帶來更多報道。

海思方面,雖然不清楚之後的排期和命名等信息,但海思方面極大可能仍將迭代推出新的麒麟芯片,例如麒麟10000,成品製造方面先不考慮,架構設計方面應該也將會是第一梯隊水平。

三星方面,此前多次爆料的 Exynos 2100性能表明該芯片不一定輸其他同期產品。雖然之前多數爆料偏向於驍龍875是這一代唯一的採用 ARM Cortex-X1內核的產品,但後來有可靠爆料者表示 Exynos 2100也將採用 ARM Cortex-X1架構。此外,E2100也將配備具有14個圖形內核的 ARM Mali-G78 GPU,性能值得期待。

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聯發科方面,天璣1000系列續作仍沒有消息傳出,但無論怎樣更迭,天璣1000系列性能和基帶在目前業界的水準依然是頂流,因此只有聯發科方面按部就班的迭代更新,性能方面自然會有更值得期待的看點。

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